存储系统

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存储芯片的组成

• 存储矩阵
• 译码驱动
• 读写电路
• 读/写控制线
• 片选线

RAM随机存储器

易失性存储器

SRAM

原理：使用双稳态触发器（六管MOS）作为存储元

特点：

1. 集成度低，功耗大

2. 易失性半导体

3. 一般用于高速缓存

DRAM

原理：使用栅极电容

特点：

1. 采用地址复用技术。地址信号分行、列两次发送

2. 容易集成、功耗低和容量大

3. 用于组成大容量系统

4. 需要刷新，每隔一段时间必须刷新。通常为2ms

   • 集中刷新：读写操作不受影响，但刷新时不能访问存储器（死区）
   • 分散刷新：只刷新一部分，另一部分正常。但会增加存取周期
   • 异步刷新：刷新周期/行数的时间间隔产生刷新请求
     1. 对CPU透明，不依赖于外部访问
     2. 刷新安排在译码阶段，不会增加存取周期也不会产生死区
     3. 刷新的单位是按行，刷新时只需要行地址
     4. 刷新时不需要选片，同时刷新。

ROM（只读存储器）

非易失性存储器